特許
J-GLOBAL ID：200903053305967477
光変調器と光通信用光源及び光通信用モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046506
公開番号（公開出願番号）：特開2000-241775
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 高消光比で良好な光送信波形を発生できる光通信用の光変調器及び光通信用光源、さらに光通信モジュールを実現する。【解決手段】 基板100上に入射光導波路部600、分岐部500、第一電界吸収型変調器部400A、第二電界吸収型変調器部400B、合波部300、出力光導波路部200がそれぞれ形成されている。第一電界吸収型変調器部400Aと第二電界吸収型変調器部400Bは、吸収層の吸収端波長が互いに異なり、あるいは、第一及び第二の各半導体電界吸収型変調器部400A,400Bに同一の変調電圧を印加した時に、各電界吸収型変調器部を伝播する2光波間の位相差がπ[rad] となる様に、前記各半導体電界吸収型変調器部の吸収層の吸収端波長に違いを設ける(1.495μm、1.510μm)。単一の電界吸収型変調器部で構成される光変調器に比べて低電圧印加時の消光特性を維持したまま、高電圧印加時の消光比を増大することが可能であり、良好な光変調波形及び高消光比を実現することが可能になる。
請求項（抜粋）：
基板上に、入射光を導波する入射光導波路と、前記入射光導波路を導波される導波光を2本の導波路へ分配する分岐部と、前記分岐部で分岐された2本の導波路のそれぞれに設けられた半導体電界吸収型変調器部と、前記2本の導波路の出力光を合波する合波部と、前記合波部からの合波光を導波する出力光導波路とを形成してなる光変調器であって、前記2本の導波路に設けられた各半導体電界吸収型変調器部における吸収層の吸収端波長が互いに異なることを特徴とする光変調器。
Fターム (14件)：
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA05
, 2H079DA16
, 2H079DA22
, 2H079DA25
, 2H079DA26
, 2H079EA05
, 2H079EA08
, 2H079EB04
, 2H079HA04
, 2H079HA13
