特許
J-GLOBAL ID：200903053322339617
磁気トンネル素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-374595
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196165
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 バリア膜の成膜前に磁性層を酸化処理し、バリア膜を形成後に熱処理を施し、磁性層とバリア膜との界面が清浄化し、かつ未酸化金属がないバリア膜を有する磁気トンネル素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Fe、Ni及びCoからなる群から選択された少なくとも1種を含有する金属、合金、金属間化合物、酸化物又は窒化物からなる下磁性層3及び上磁性層5と、前記下磁性層3と前記上磁性層5との間に形成されたバリア膜4とを有し、前記バリア膜4は前記上磁性層5との界面及び前記下磁性層3との界面で酸素濃度の極大を有する。
請求項（抜粋）：
Fe、Ni及びCoからなる群から選択された少なくとも1種を含有する金属、合金、金属間化合物、酸化物又は窒化物からなる下磁性層及び上磁性層と、前記下磁性層と前記上磁性層との間に形成されたバリア膜とを有し、前記バリア膜は前記上磁性層との界面及び前記下磁性層との界面で酸素濃度の極大を有することを特徴とする磁気トンネル接合素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01L 43/12
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034DA07
