特許
J-GLOBAL ID：200903053325340438
熱処理工程時の不純物濃度分布のシミュレーション方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-138835
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008200
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 イオン注入等の後に半導体基板中に導入される線欠陥または面欠陥の成長により点欠陥及び点欠陥と不純物との複合体が取り込まれることを考慮することにより、不純物濃度分布を正確に計算する。【構成】 半導体基板中に存在する不純物の濃度分布、点欠陥及び不純物濃度分布を初期状態として読み込む(ステップ101)。次に基板中のある深さxi を設定する(102)。このxi が基板中の線欠陥または面欠陥の端部に当たるか否かを判定する(103)。xi が端部に当たる場合は、端部における圧力を計算し(104)、次に圧力を考慮に入れた点欠陥及び複合体の平衡濃度を求め(105)、その平衡濃度と実際の点欠陥及び複合体の濃度との差に相当する量が、線欠陥または面欠陥の成長により取り込まれるものとして(106)、この結果を拡散方程式に取り入れる(107)。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造における熱処理工程時の半導体基板中の不純物濃度分布を計算するシミュレーション方法において、半導体基板中の線欠陥または面欠陥の成長中に、該線欠陥または面欠陥の存在により発生する半導体基板中の圧力分布の効果を計算に取り入れて求めた半導体基板中の点欠陥及び点欠陥と不純物との複合体の平衡濃度と、ある時点における該点欠陥及び点欠陥と不純物との複合体の濃度との差から、該線欠陥または面欠陥への点欠陥及び点欠陥と不純物との複合体との取り込み量を計算し、該線欠陥または面欠陥の成長による不純物濃度分布の変化を求めることを特徴とする不純物濃度分布のシミュレーション方法。
引用特許：
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