特許
J-GLOBAL ID：200903053334535373
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
綿貫 隆夫
, 堀米 和春
, 堀内 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-330987
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152493
出願日： 2007年12月21日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：
【課題】ウェハから切断された個片の側周面が露出してチッピングが発生する虞のある半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一面側に複数の回路が形成されたウェハを、前記回路ごとに切断加工して複数の個片16とし、前記複数の個片16の回路形成面としての一面側16aを、切断加工による切断溝17の幅tを保持した状態で第1保持フィルム12上に貼着した後、接着性樹脂を個片16の他面側16bに塗布する共に、切断溝17内を充填して接着性樹脂層22を形成し、次いで、複数の個片16の他面側16aを第2保持フィルム上に貼着した後、個片16間の切断溝17の幅tを拡大するように、第2保持フィルムを伸張し、その後、他面側16b及び側周面が接着性樹脂層22で覆われた個片16を第2保持フィルム上から取り出して、個片16の他面側16bを半導体装置用基板の所定箇所に当接し接合することを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
一面側に複数の回路が形成されたウェハを、前記回路ごとに切断加工して複数の個片とし、前記複数の個片の回路形成面としての一面側を、前記切断加工による切断溝の幅を保持した状態で第1保持フィルム上に貼着した後、接着性樹脂を前記個片の他面側に塗布する共に、前記切断溝内を充填して接着性樹脂層を形成し、
次いで、前記複数の個片の他面側を第2保持フィルム上に貼着した後、前記個片間の切断溝の幅を拡大するように、前記第保持フィルムを伸張し、
その後、前記他面側及び側周面が接着性樹脂層で覆われた個片を前記第2保持フィルム上から取り出して、前記個片の他面側を半導体装置用基板の所定箇所に当接して接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/52 C
, H01L21/78 Q
5F047AA11
, 5F047AA13
, 5F047AA17
, 5F047BA33
, 5F047BA37
, 5F047BB13
, 5F047BB19
