半導体気相成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-341211
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175129
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】生産性を低下させることなく、異なる気相成長サイクルに形成されるウエハの気相成長層の間に特性の均一性を有するようにすることのできる半導体気相成長装置を提供する。【構成】半導体気相成長装置は、送り込まれた半導体ウエハ上に気相成長層を形成する反応炉(1、2)と、この反応炉(1、2)から送り出された半導体ウエハ上に形成された気相成長層の抵抗率、膜厚、表面微粒子等の特性を検査する検査手段(5)と、検査手段(5)による検査結果を分析し、この分析結果に基づき、その後に反応炉(1、2)に送り込まれる半導体ウエハ上に所定の特性を有する気相成長層が形成されるように反応炉(1、2)の制御条件を修正する制御条件修正手段(6)と、制御条件修正手段(6)によって修正された制御条件で反応炉(1、2)を制御する反応炉制御手段(7、8)とを備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

送り込まれた半導体ウエハ上に気相成長層を形成する反応炉と、この反応炉から送り出された半導体ウエハ上に形成された気相成長層の抵抗率や膜厚微粒子等の特性を検査する検査手段と、前記検査手段による検査結果を分析し、この分析結果に基づき、その後に前記反応炉に送り込まれる半導体ウエハ上に所定の特性を有する気相成長層が形成されるように前記反応炉の制御条件を修正する制御条件修正手段と、前記制御条件修正手段によって修正された制御条件で前記反応炉を制御する反応炉制御手段とを備えることを特徴とする半導体気相成長装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭59-211287
特開昭63-272450
特開平2-205019

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