特許
J-GLOBAL ID：200903053401875869

多層配線の形成方法

発明者：
山崎 憲二

山崎 憲二 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-133873
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321202
出願日： 1994年05月25日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 ウエットエッチングを併用した工程増による生産性の低下を引き起こすことなく、多層配線間の良好な電気的コンタクトが得られる多層配線の形成方法を得る。【構成】 多層配線の形成方法において、多層配線の下部電極2bをタンタル(Ta)で形成し、配線間の絶縁層3をシリコンを主体とした非晶質材料より成る絶縁層で形成するとともに、上部電極膜を着膜する工程直前に、Ta電極表面をプラズマ処理することにより、前記絶縁層の着膜等の際にTa電極表面に形成された絶縁性被膜を除去するので、ウエットエッチングを併用することなくコンタクト抵抗の低抵抗化を図る。
請求項（抜粋）：
タンタル(Ta)電極上にシリコンを主体とした非晶質材料より成る絶縁層を被覆する工程と、該絶縁層をプラズマエッチングして接続用開口部を形成する工程と、接続用開口部におけるTa電極表面を上部電極膜の着膜直前にプラズマ処理を行なう工程と、接続用開口部を介して前記Ta電極と接続する上部電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする多層配線の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/786
FI (2件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 29/78 311 A
引用特許：
審査官引用 (5件)
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