特許

J-GLOBAL ID：200903053407380829

光起電力素子

発明者： 井植 敏 ,  津田 信哉 ,  菱川 善博 ,  中村 昇 ,  二宮 国基
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-135371
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321327
出願日： 1996年05月29日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】長波長の光に対して高感度な光起電力素子を提供する。【課題】【解決手段】 光照射により光キャリアが生成される半導体層となるp型の単結晶シリコン基板1の一部に、所定の添加物を添加してなる光吸収部Aを設けることで、長波長の光に対する光感度を向上する。

請求項（抜粋）：

半導体からなる光起電力素子であって、該半導体内の一部に、他の部分よりもエネルギーの小さい光を吸収する光吸収部を設けたことを特徴とする光起電力素子。

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-224981
  
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-317390   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平4-332176