特許
J-GLOBAL ID：200903053410042632
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206999
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106378
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】本発明の目的は、不規則に半導体素子が配置されているウェハー周辺部に、過不足なく導電性ボールを搭載し、不良なBGA基板又は半導体素子に導電性ボールを搭載しないようにした、選択的に導電性ボールを保持可能な、BGA基板又は半導体素子に対して導電性ボールを搭載させることのできる、半導体装置の製造方法及びこの方法を実現する半導体製造装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、複数のBGA基板又は半導体素子に導電性ボールを一括で搭載する導電性ボール搭載に関するものであり、不規則な半導体素子が配置されているウェハー周辺部に過不足なく導電性ボールを搭載したり、不良なBGA基板又は半導体素子に導電性ボールを搭載しないように選択的に導電性ボールを吸着保持する導電性ボール保持手段を用いることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子支持基板又は半導体素子に導電性ボールを一括して搭載する導電性ボール搭載装置に前記支持基板又は前記半導体素子を導入する工程と、前記導入された支持基板又は半導体素子の中から不良基板又は不良半導体素子又は前記導電性ボール搭載が不要な位置を検知する工程と、前記導電性ボール搭載装置内に蓄えられた複数の導電性ボールを保持手段によって吸着し保持させる工程と、前記導電性ボール保持手段により保持されている複数の導電性ボールを前記導電性ボール搭載装置に導入された前記支持基板又は前記半導体素子の内必要な支持基板又は半導体素子に選択的に搭載させる工程とを備え、前記導電性ボール保持手段は、不規則に半導体素子が配置されているウェーハ周辺部に過不足なく前記導電性ボールを搭載したり、前記不良支持基板又は前記不良半導体素子に前記導電性ボールを搭載しないように、選択的に前記導電性ボールを吸着保持させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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