特許

J-GLOBAL ID：200903053415490781

半導体製造装置

発明者： 松尾 浩昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151447
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340859
出願日： 1997年06月10日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 磁気シールユニットで発生する金属汚染が反応炉内へ取り込まれるのを極力防止し、金属汚染による反応炉内汚染を防止することができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】 縦型反応炉内でウェーハを保持するウェーハボートと、ウェーハボートを支持して昇降動作させるためのボートフランジ12と、ウェーハボートを回転させるための回転軸15をシールする磁気シールユニットとを備えたLP-CVD装置において、磁気シールユニット13に不活性ガス導入管21及び排気管22を接続した。

請求項（抜粋）：

縦型反応炉内でウェーハを保持するボートと、該ボートを支持して昇降動作させるためのボートフランジと、前記ボートを回転させるための回転軸をシールする磁気シールユニットとを備えた半導体製造装置において、前記磁気シールユニットに不活性ガス導入管及び排気管を接続したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/22 511 R ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-145941   出願人：東京エレクトロン株式会社