特許
J-GLOBAL ID：200903053449833394
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-187369
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005387
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 マイクロ波導入窓への膜付着の問題を根本的に解決し、高密度プラズマを安定して生成し、Al等の金属膜やSiC等の導電性膜の形成を長時間安定して行う。【構成】 真空導波管61を導波管部61-1とテーパ管部61-2とで構成する。マイクロ波導入窓27をマイクロ波導入用開口からみて死角の位置に配置する。マイクロ波導入窓27を通過したマイクロ波は、導波管部61-1をそのマイクロ波電界を外部磁界と平行として外部磁界に垂直な方向へ進み、テーパ管部61-2で反射して進行方向を直角に曲げられて、外部磁界に沿ってECR条件よりも強磁界側からプラズマ生成室20に導入される。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成室に外部磁界を印可した状態で、マイクロ波を誘電体窓を通し導波管を介して前記プラズマ生成室へ供給し、前記プラズマ生成室内の原料を電子サイクロトロン共鳴(ECR)によりプラズマ化するプラズマ処理装置において、前記誘電体窓を通過したマイクロ波が、そのマイクロ波電界を前記外部磁界と平行として前記外部磁界に垂直な方向へ進み、このマイクロ波の進行方向が前記プラズマ生成室直上の外部磁界強度がECR条件よりも強い場所で直角に曲げられて、前記外部磁界に沿って前記プラズマ生成室へ導かれるように、前記導波管が配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, G01N 24/14
, G01R 33/64
, H01L 21/31
