特許

J-GLOBAL ID：200903053469218033

ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  橘 誠一郎 ,  大澤 洋一
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-316443
公開番号（公開出願番号）：特開2009-169406
出願日： 2008年12月12日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】高感度で高解像性を有する化学増幅機能と非化学増幅機能の両方を有し、超LSI製造用又はフォトマスク作製用微細パターン形成材料に好適なポジ型レジスト材料の提供。【解決手段】下記3式の繰り返し単位を有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(a)、及び(b-1)又は(b-2)の繰り返し単位を有する高分子化合物を含むことを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (6件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 220/30 ,  C08F 220/18 ,  C08F 212/14 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  C08F220/30 ,  C08F220/18 ,  C08F212/14 ,  H01L21/30 502R

Fターム (39件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  4J100AB00Q ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04Q ,  4J100BA12P ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA51Q ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC49P ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA61 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開平4-230645号公報
  
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-316385   出願人：JSR株式会社
• 高分子化合物、酸発生剤、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-226735   出願人：東京応化工業株式会社
• レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-373598   出願人：信越化学工業株式会社
• 特開平4-116660号公報