特許
J-GLOBAL ID：200903053470322308

面発光型半導体レ-ザ、面発光型半導体レ-ザアレイ、及び面発光型半導体レ-ザの製造方法

発明者：
植木 伸明

植木 伸明 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016197
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307882
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 レーザ光の偏波面を一定方向に制御でき、低しきい値電流が得られる面発光型半導体レーザ及び面発光型半導体レーザアレイを提供する。【解決手段】 半導体基板10の主面に形成された第1の導電型の第1反射ミラー層12と、該第1反射ミラー層12上に積層され、かつ、量子井戸が形成された活性層30と、前記第1反射ミラー層12と共に共振器構造を構成する前記第1の導電型と異なる第2の導電型の柱状の第2反射ミラー層24とを備えたポスト部20と、前記第1反射ミラー層12と前記第2反射ミラー層24との間に挿入され、その周縁部が高抵抗化された2以上の周縁高抵抗化層22とを備え、前記2以上の周縁高抵抗化層22は、高抵抗化の割合がそれぞれ異なるように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面に形成された第1の導電型の第1反射ミラー層と、該第1反射ミラー層上に積層され、かつ、量子井戸が形成された活性層と、前記第1反射ミラー層と共に共振器構造を構成する前記第1の導電型と異なる第2の導電型の柱状の第2反射ミラー層とを備えたポスト部と、前記第1反射ミラー層と前記第2反射ミラー層との間に挿入され、その周縁部が高抵抗化された2以上の周縁高抵抗化層とを備え、前記2以上の周縁高抵抗化層の少なくとも2つの層は、高抵抗化の割合が異なることを特徴とする面発光型半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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