面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180933
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027938
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】光出力特性に特段の影響を与えることなく、横モードを安定させながら、偏波面を安定に維持することのできる、面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明の第1の特徴は、半導体基板1上で活性層4が上部及び下部の半導体多層反射膜2、7により挟まれ、少なくとも前記上部半導体多層反射膜7を加工してなる半導体柱を有し、基板と垂直方向に光を放出する面発光型半導体レーザ装置において、前記活性層4の近傍に、前記半導体基板に垂直な方向からみた断面形状が、長軸と短軸とを有する矩形または楕円形状を有してなる反射率分布の異なる領域を具備し、当該領域とその周辺の領域とで出射光に対する反射率が異なるように構成したことにある。

請求項（抜粋）：

半導体基板上で活性層が上部及び下部の半導体多層反射膜により挟まれ、少なくとも前記上部半導体多層反射膜が選択的に除去せしめられて半導体柱を構成し、基板と垂直方向に光を放出する面発光型半導体レーザ装置において、前記活性層の近傍に、前記半導体基板に垂直な方向からみた断面形状が、長軸と短軸とを有する矩形または楕円形状を有してなる反射率分布の異なる領域を具備し、当該領域とその周辺の領域とで出射光に対する反射率が異なるように構成したことを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

面発光レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-253324 出願人：日本電気株式会社
面発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-318710 出願人：日本電気株式会社
高効率の縦型空洞表面放出レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-123340 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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