特許

J-GLOBAL ID：200903053472976240

半導体装置およびその製造方法

発明者： 志田 聡
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-093791
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283638
出願日： 1996年04月16日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ工程によるダメージおよびこれに起因する問題を解決できる半導体装置を提供する。【解決手段】 MOSトランジスタを有する半導体装置である。孤立ゲート電極であるゲート電極5-b、5-cに、最下層の配線層である第1のアルミ層7-a、7-dを介して保護素子が接続されている。保護素子は、Nウェル1とP+拡散層3-fとの接合およびPウェル2とN+ 拡散層4-fとの接合、ならびに、Nウェル1とP+ 拡散層3-gとの接合およびPウェル2とN+ 拡散層4-gとの接合により構成されている。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタを有する半導体装置において、孤立ゲート電極に最下層の配線層を介して保護素子が接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H03K 17/00

FI (3件)：

H01L 27/08 321 B ,  H03K 17/00 ,  H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-078230
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-095523   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018859   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社