特許

J-GLOBAL ID：200903053474907904

磁気抵抗効果素子及び磁気情報検出方法

発明者： 岸 達也 ,  猪俣 浩一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-069581
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260743
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】非破壊読み出し若しくは多値記録が可能な磁気抵抗効果素子の提供を目的とする。【解決手段】トンネル絶縁膜を介して3層の強磁性導電層が形成され、中間の強磁性導電層の保磁力を小とし、これを選択的に反転させたときのトンネル電流で、外側の強磁性導電層の磁化状態を検出する。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性導電層と、第2の強磁性導電層と、第1及び第2の強磁性導電層の間に介在する第1のトンネル絶縁層と、第3の強磁性導電層と、第2及び第3の強磁性導電層の間に介在する第2のトンネル絶縁層とを具備した磁性積層体を有し、第1乃至第3の強磁性導電層の内の一層の保磁力が他の層の保磁力よりも小さいことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-062201   出願人：富士通株式会社