特許

J-GLOBAL ID：200903053487638155

薄膜型容量素子、半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 藤井 英治 ,  井上 敦雄 ,  有田 浩二 ,  那須 徹 ,  松田 明浩
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-138689
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008404
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 強誘電体膜または高誘電体膜を容量絶縁膜とする薄膜型容量素子において、電気特性の向上と長寿命化を図る。【構成】 集積回路が形成されたシリコン基板1の上の層間絶縁膜7の上に、少なくとも下電極8と、強誘電体膜または高誘電体膜からなる容量絶縁膜9と、上電極10とが形成されており、容量絶縁膜9の水素密度が1011個/cm2以下である。以上の構成により、リーク電流は容量絶縁膜9中の水素密度の減少とともに低下し、水素密度が約1011個/cm2で飽和し、1MV/cmの電界を印加した場合の容量絶縁膜9の破壊時間は水素密度の減少とともに長くなる。これは、上電極10および下電極8と容量絶縁膜9との界面のショットキーバリアハイト、および容量絶縁膜9の粒界ポテンシャルハイトが水素密度の低減とともに高くなるためであると考えられる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、少なくとも下電極と、強誘電体膜または高誘電体膜からなる容量絶縁膜と、上電極とが形成されており、かつ前記容量絶縁膜の水素密度が1011個/cm2以下であることを特徴とする薄膜型容量素子。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-156457   出願人：セイコーエプソン株式会社