特許
J-GLOBAL ID：200903053507465457
半田バンプの製造方法及び電子部品
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-024547
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203910
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】本発明は、半田バンプの製造方法及び電子部品に関し、半田を整形する際の半田の染み出しを有効に回避する。【構成】本発明は、半田バンプの形成位置を囲むように、酸化膜13を形成することにより、半田バンプ形成位置の周囲について半田ぬれ性を低減する。
請求項（抜粋）：
半田バンプを形成する金属部分の表面に酸化膜を形成した後、前記酸化膜を局所的に除去することにより、半田バンプの形成位置を囲むように、前記金属部分の表面に酸化膜を形成し、前記半田バンプの形成位置に半田を付着し、前記半田を加熱溶融して整形して半田バンプを形成することを特徴とする半田バンプの製造方法。
FI (3件)：
H01L 21/92 604 A
, H01L 21/92 604 R
, H01L 21/92 604 Z
