特許
J-GLOBAL ID：200903053511337889

有機薄膜トランジスタ、この製造方法及びこれを利用した表示装置

発明者：
チェ ナクボン

チェ ナクボン について

, 
キム ミンジュ

キム ミンジュ について


出願人/特許権者：
エルジー.フィリップス エルシーデー カンパニー,リミテッド

エルジー.フィリップス エルシーデー カンパニー,リミテッド について


代理人 (7件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-340842
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288130
出願日： 2006年12月19日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】有機薄膜トランジスタ及びこの製造方法、並びにこれを利用した表示装置を提供する。【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、ベース基板上に形成された酸化膜と、前記酸化膜上に配置され、第1ソース電極部及び第2ソース電極部を有するソース電極と、前記酸化膜上に配置され、第1ドレイン電極部及び前記第2ソース電極部と隣接するように配置された第2ドレイン電極部を有するドレイン電極と、前記第2ソース電極部及び前記第2ドレイン電極部を露出させる開口部を有する有機膜パターンと、導体または不導体の特性を有し、前記開口部を介して前記第2ソース電極部及び前記第2ドレイン電極部を電気的に接続する有機半導体パターンと、前記有機半導体パターンを覆うゲート絶縁膜と、前記有機半導体パターンと対応する前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ベース基板上に形成された酸化膜と、 前記酸化膜上に配置され、第1ソース電極部及び第2ソース電極部を有するソース電極と、 前記酸化膜上に配置され、第1ドレイン電極部及び前記第2ソース電極部と隣接するように配置された第2ドレイン電極部を有するドレイン電極と、 前記第2ソース電極部及び前記第2ドレイン電極部を露出させる開口部を有する有機膜パターンと、 導体または不導体の特性を有し、前記開口部を介して前記第2ソース電極部及び前記第2ドレイン電極部を電気的に接続する有機半導体パターンと、 前記有機半導体パターンを覆うゲート絶縁膜と、 前記有機半導体パターンと対応する前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と を備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  G02F 1/136
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310K ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 619B
Fターム (25件)：
2H092JA25 ,  2H092JB13 ,  2H092JB38 ,  2H092KA09 ,  2H092MA19 ,  2H092NA25 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG23 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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