特許
J-GLOBAL ID：200903053539976801
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-055109
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261390
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 活性層25を通らない無効電流を減少させる。【解決手段】 n型半導体基板21と、n型半導体基板上に形成され、n型の第1のクラッド層24と活性層25とp型の第2のクラッド層26とからなる台形形状を有する<011>方向に沿って形成されたメサストライプ部22と、メサストライプ部の外側でかつn型半導体基板上に形成されたp型電流ブロック層29とこのp型電流ブロック層の上側に形成されたn型電流ブロック層30とからなる電流ブロック部23と、メサストライプ部の上面と電流ブロック部の上面を共通に覆うp型の第3のクラッド層31とを備えた半導体レーザにおいて、n型InP基板21は(100)結晶面を上面とされ、台形形状を有するメサストライプ部の側面27の傾斜は、(111)B結晶面が露出する特定角度θを除き、かつこの特定角度近傍の角度(θ±Δθ)に設定されている。
請求項（抜粋）：
n型半導体基板(21)と、このn型半導体基板上に形成され、n型の第1のクラッド層(23)と活性層(25)とp型の第2のクラッド層(26)とからなる台形形状を有する<011>方向に沿って形成されたメサストライプ部(22)と、このメサストライプ部の外側でかつ前記n型半導体基板上に形成されたp型電流ブロック層(29)とこのp型電流ブロック層の上側に形成されたn型電流ブロック層(30)とからなる電流ブロック部(22)と、前記メサストライプ部の上面と前記電流ブロック部の上面を共通に覆うp型の第3のクラッド層(31)とを備えた半導体レーザにおいて、前記n型半導体基板は(100)結晶面を上面とされ、前記台形形状を有する<011>方向に沿って形成されたメサストライプ部の側面の傾斜は、(111)B結晶面が露出する特定角度を除き、かつこの特定角度近傍の角度に設定されていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/227
, H01L 21/306 B
5F043AA15
, 5F043BB08
, 5F043DD21
, 5F043FF04
, 5F043GG06
, 5F073AA26
, 5F073AA74
, 5F073BA01
, 5F073CA07
, 5F073CA13
, 5F073CB02
, 5F073CB10
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073EA24
