特許
J-GLOBAL ID：200903065745496709
半導体レーザー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-332641
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148674
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 高出力かつ高信頼性の赤色発光の実屈折率導波型AlGaInP系半導体レーザーを提供する。【解決手段】 電流の通路となるストライプ部の両側の部分にAlGaInP電流狭窄層7が埋め込まれた電流狭窄構造を有する実屈折率導波型のAlGaInP系半導体レーザーにおいて、ストライプ部の側面のほぼ全部を、この側面にAlGaInP電流狭窄層7を良好に成長させることができる程度の角度だけ、具体的には1〜20°だけ{111}A面から傾斜させる。
請求項（抜粋）：
第1導電型のAlGaInPクラッド層と、上記第1導電型のAlGaInPクラッド層上の活性層と、上記活性層上の第2導電型のAlGaInPクラッド層とを有し、電流の通路となるストライプ部の両側の部分にAlGaInP電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する実屈折率導波型の半導体レーザーにおいて、上記ストライプ部の側面のほぼ全部が、この側面に上記AlGaInP電流狭窄層を良好に成長させることができる程度の角度だけ{111}A面から傾斜していることを特徴とする半導体レーザー。
引用特許：
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