半導体装置の製造装置および製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-312348
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145094
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】本発明は、Siウェーハを洗浄するクリーニング装置において、アルカリ性水によるウェーハの表面荒れを防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、クリーニング容器11内に、電気分解により生成されたアルカリ性水21に、過酸化水素水22を微量に添加した洗浄液23を注入する。そして、この洗浄液23により満たされたクリーニング容器11内にSiウェーハ31を浸し、その表面に付着するパーティクルや金属不純物などを除去する。その際、Siウェーハ31の表面に酸化膜を形成し、アルカリ性水21によるエッチングからSiウェーハ31の表面を保護する。こうして、洗浄液23のpH値をほとんど変えることなしに、ORPを上げることにより、クリーニング効果を保ちつつ、Siウェーハ31の表面荒れを防ぐ構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の洗浄に、電気分解により生成されたイオン水に、酸化剤を微量に添加した洗浄液を用いることを特徴とする半導体装置の製造装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体基板のウエット処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-056109 出願人：日本電気株式会社
ウエット処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312366 出願人：株式会社フロンテック, オルガノ株式会社, 大見忠弘

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