特許
J-GLOBAL ID：200903093335388180
半導体基板のウエット処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-056109
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263430
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】本発明は、半導体製品を製造するプロセスにおいて、洗浄、エッチングまたはリンス等のウエット処理で、酸性薬品やアルカリ性薬品の使用量を削減し、廃液処理しいては産業廃棄物の削減に寄与することを目的とする。【構成】電解質を微量添加した水を電気分解することで得られる、酸化性もしくは還元性を有する酸性、アルカリ性の各種電気分解水を半導体ウエーハの洗浄、エッチングまたはリンスに用いることで、従来の酸性薬品やアルカリ性薬品と同等以上の各種効果が得られ、半導体湿式プロセスにおける薬品使用量を大幅に削減する。
請求項（抜粋）：
純水に塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、弗化アンモニウム、硝酸アンモニウム、臭化アンモニウム、沃化アンモニウム、硫酸アンモニウム、蓚酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、蟻酸アンモニウム、塩酸、アンモニア水の内より選定された少なくとも1種類よりなる電解質を8×10-2モル/リットルから2×10-5モル/リットルの範囲で添加した第1の水溶液を電気分解することによって生成された第2の水溶液を処理液としてこれに半導体ウエーハ被処理部を灌浸あるいは灌水する半導体ウエーハの処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/308
, C09K 13/00
, H01L 21/304 341
, H01L 21/306
