特許
J-GLOBAL ID：200903053563814561
炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-175533
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004888
出願日： 2006年06月26日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】基底面転位欠陥の少ない炭化珪素半導体エピタキシャル基板を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の、炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法は、オフセット角が2°以上10°以下であり、二乗平均粗さが0.1nm以下である表面10aを有する炭化珪素単結晶基板10を用意する工程と、化学気相堆積法により、炭化珪素からなるエピタキシャル層11を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程とを包含し、前記成長したエピタキシャル層の表面の二乗平均粗さRq(nm)がエピタキシャル層11の成長速度をV(μm/h)として、Rq(nm)<0.007×V(μm/h)+0.074の関係を満足するように、前記エピタキシャル層の成長条件を設定する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
オフセット角が2°以上10°以下であり、二乗平均粗さが0.1nm以下である表面を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程と、
化学気相堆積法により、炭化珪素からなるエピタキシャル層を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程と、
を包含し、
前記成長したエピタキシャル層の表面の二乗平均粗さRq(nm)がエピタキシャル層の成長速度をV(μm/h)として、
Rq(nm)<0.007×V(μm/h)+0.074
の関係を満足するように、前記エピタキシャル層の成長条件を設定する、炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AD18
, 5F045AF02
, 5F045BB12
, 5F045CA00
