特許
J-GLOBAL ID：200903079492412830
バイポーラ型半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
鈴木 俊一郎
, 牧村 浩次
, 鈴木 亨
, 八本 佳子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-089227
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311348
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】SiC単結晶基板からエピタキシャル層へのベーサルプレーン転位の伝播を低減し、これにより経時での順方向電圧劣化を抑制したバイポーラ型半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板1の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層2により形成したバイポーラ型半導体装置を製造するに際し、炭化珪素基板1の表面を水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層2を形成する。炭化珪素基板1の表面を化学機械研磨で処理し、次いで水素エッチングで処理することにより、さらにエピタキシャル層へのベーサルプレーン転位の伝播を低減することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層により形成したバイポーラ型半導体装置であって、
前記炭化珪素基板におけるエピタキシャル成長させる表面の表面粗さRmsが0.1〜0.6nmであることを特徴とするバイポーラ型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F152LL03
, 5F152LM04
, 5F152LM09
, 5F152LN03
, 5F152LN21
, 5F152MM01
, 5F152MM02
, 5F152MM07
, 5F152NN05
, 5F152NN27
, 5F152NQ02
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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