特許
J-GLOBAL ID：200903053590465757
不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性記憶システム
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
伊丹 勝
, 田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-234790
公開番号（公開出願番号）：特開2008-059679
出願日： 2006年08月31日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：
【課題】軟判定情報を入力とする誤り訂正回路を用いた場合においても、誤り訂正回路の訂正限界より多い誤りが発生する前に、リフレッシュ動作を実行することができ、誤り訂正限界より多い誤りの発生の頻度を実用上問題ない程度に抑える。【解決手段】NANDセル型フラッシュメモリを構成するメモリセルアレイは、ワード線制御回路2を有する。このワード線制御回路2は、複数の閾値分布の間の読み出し電圧に加え、各閾値分布の上限と下限の間の軟値読み出し電圧をワード線電圧として前記ワード線に印加し、軟値データを生成する。この軟値に基づいて複数ビットのデータの尤度を尤度計算回路10にて計算する。誤り訂正回路11は、尤度に基づいて誤り訂正を行う。誤り訂正の繰り返し回数が所定回数を超えた場合、そのブロックに対しリフレッシュ動作を実行する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
閾値電圧の差によりデータを記憶することが可能なメモリセルが複数のビット線及び複数のワード線に沿ってマトリクス状に配置されて構成されたメモリセルアレイと、
前記ビット線の各々に接続されるセンスアンプ回路と、
前記データを表現する複数の閾値分布のうちの1つの上限より大きくその閾値分布より上の閾値電圧を有する他の閾値分布の下限より小さい大きさを有する読み出し電圧をワード線電圧として前記ワード線に印加する制御を行うと共に、前記複数の閾値分布の各々の上限より小さく下限より大きい閾値電圧を有し複数通りの軟値を生成する軟値読み出し電圧をワード線電圧として前記ワード線に印加する制御を行うワード線制御回路と、
前記軟値に基づいて前記メモリセルに格納されたデータの尤度を計算する尤度計算回路と、
前記尤度に基づいて前記メモリセルから読み出されたデータの誤り訂正を行う誤り訂正回路と、
前記軟値又は前記尤度に基づいて前記メモリセルのリフレッシュ動作のタイミングを制御するリフレッシュ制御回路と
を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, G11C 16/04
, G11C 16/02
G11C17/00 639C
, G11C17/00 622E
, G11C17/00 614
, G11C17/00 641
, G11C17/00 634G
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA11
, 5B125CA27
, 5B125DA03
, 5B125DB08
, 5B125DE08
, 5B125DE20
, 5B125EA05
, 5B125EA10
, 5B125EE04
, 5B125EE17
, 5B125EG16
, 5B125EG17
, 5B125FA01
, 5B125FA04
