特許
J-GLOBAL ID:200903053596822454
露光パターン形成装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 明夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-048909
公開番号(公開出願番号):特開平6-267813
出願日: 1993年03月10日
公開日(公表日): 1994年09月22日
要約:
【要約】【目的】 レジスト膜形成条件を常に自動的に最適化することのできる露光パターン線幅寸法安定化装置を提供する。【構成】 レジスト塗布装置1を通過したウエハのレジスト膜特性をレジスト膜測定装置7により測定し、この測定値が所定の範囲から外れている場合には測定値をパラメータ制御部11に送りそのパラメータを修正する。また、上記測定値を次ぎのベーク装置2のパラメータ制御部11に送ってそのパラメータを修正し、レジスト塗布装置1を通過したウエハのレジスト膜特性をベーク装置2により修正する。また、必要に応じてこのパラメータ修正をさらに下流のプロセスで行う。
請求項(抜粋):
レジスト塗布、ベ-ク、露光、現像等の各工程毎のパラメ-タ制御部の指令値により上記各工程装置のパラメ-タを設定して半導体装置等のレジスト膜を形成する露光パターン形成装置において、レジスト膜特性を測定するレジスト膜測定装置と上記各工程装置のパラメ-タ制御部はそれぞれのパラメ-タを修正する手段を備え、各工程毎のレジスト膜測定装置の測定結果に応じて当該工程装置のパラメ-タを修正するようにしたことを特徴とする露光パターン形成装置。
IPC (3件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, H01L 21/66
FI (2件):
H01L 21/30 301 W
, H01L 21/30 301 G
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特表平1-501982
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特開平2-146720
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特開平4-035018
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特開昭63-227020
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特開平3-087014
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特開平3-048419
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半導体露光装置の露光時間設定方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-187287
出願人:住友金属工業株式会社
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