フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-365886
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186657
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】活性層の垂直方向に加えて、活性層面内全方向にも自然放出光を制御する構造を備えて低闘値で低消費電力の動作を可能とするフォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザである。【解決手段】フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザは、化合物半導体から形成されてなる垂直共振器レーザである。活性層11が周期的多層膜半導体層から形成されていることで、光共振器が活性層11の垂直方向に形成されている。活性層11を含む半導体層に二次元屈折率周期構造21、22を備えていることで、活性層11を含む半導体層面内には発光波長に対して光学的伝播禁止帯(フォトニックバンドギャップ)が形成されている。

請求項（抜粋）：

化合物半導体から形成されてなる垂直共振器レーザであって、活性層は周期的多層膜半導体層から形成されていることで、光共振器が該活性層の垂直方向に形成されていて、且つ、活性層を含む半導体層に二次元屈折率周期構造を備えていることで、活性層を含む半導体層面内には発光波長に対して光学的伝播禁止帯(フォトニックバンドギャツプ)が形成されていることを特徴とするフォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-034543 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭59-036988
特表平3-502747

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