半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-034543
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232669
出願日： 1996年02月22日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【目的】高コヒーレンスな発光ダイオード、低しきい値電流の高性能な半導体発光素子を提供する。【構成】 n-GaAs基板101上に、n-AlAsとn-AlGaAsの周期構造から成る多層反射膜ミラー102、n-(AlxGa1-x)0.5In0.5Pクラッド層103、フォトニックギャップ活性層104、p-(AlxGa1-x)0.5In0.5Pクラッド層105、p-AlAsとp-AlGaAsの周期構造から成る多層反射膜ミラー102’が積層されている。さらにミラー102’上にp型電極110、基板101の裏面にn電極111が形成されている。フォトニックギャップ結晶から成る活性層と1対の多層反射膜から成る微小共振器とを用いることによりコヒーレントな自然放出後発光素子を実現する。

請求項（抜粋）：