特許

J-GLOBAL ID：200903053640440432

高抵抗GaN結晶層の製造方法

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058829
公開番号（公開出願番号）：特開2001-247399
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月11日
要約：

【要約】【課題】 GaN系FETの製造時に適用して有効な高抵抗GaN結晶層の製造方法を提供する。【解決手段】 GaN結晶をエピタキシャル成長させる際に、C,Mg,Znの群から選ばれる少なくとも1種のp型不純物をドーピングする高抵抗GaN結晶層2A,2Bの製造方法であり、具体的には、GaN結晶をエピタキシャル成長させる際に、温度600°C以上の水素雰囲気中でMgまたはZnをドーピングする、または、GaN結晶をエピタキシャル成長させる際に、MgまたはZnを1×1017cm-3以上の濃度でドーピングしたのち、更にCを1×1018cm-3以上の濃度でドーピングする。

請求項（抜粋）：

GaN結晶をエピタキシャル成長させる際に、C,Mg,Znの群から選ばれる少なくとも1種のp型不純物をドーピングすることを特徴とする高抵抗GaN結晶層の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/38 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 B

Fターム (49件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AE05 ,  5F045AE07 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045DA66 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16 ,  5F103AA05 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK01 ,  5F103KK07 ,  5F103KK10 ,  5F103LL08 ,  5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082778   出願人：シャープ株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-103002   出願人：古河電気工業株式会社