特許

J-GLOBAL ID：200903053644087770

化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤

発明者： 大森 克実 ,  羽田 英夫 ,  金子 文武 ,  佐藤 充 ,  佐藤 和史 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (2件)： 阿形 明 ,  水口 崇敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-031088
公開番号（公開出願番号）：特開2005-157400
出願日： 2005年02月07日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 高解像性及び高感度を有し、かつ優れた形状のレジストパターンを与えるポジ型及びネガ型の化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び(B)一般式【化1】 (R1は芳香族性環基又はその置換誘導体基、R2はナフチル基又はその置換誘導体基である)で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び(B)一般式

IPC (4件)：

G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (14件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開平1-124848号公報(特許請求の範囲その他)
  
• 特開平2-154266号公報(特許請求の範囲その他)
  
• 特開平2-161444号公報(特許請求の範囲その他)
  
• 高感度の高解像度i-線ホトレジスト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-144327   出願人：チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト, オーシージーミクロエレクトロニクスインコーポレーテッド
• 特開平2-154266号公報(特許請求の範囲その他)