固定値メモリセルのプログラミング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077859
公開番号（公開出願番号）：特開平11-328983
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】デコーダを回路技術上簡単に構成し、それと同時に、プログラミング過程を速くすることができる、固定値メモリセルを半導体ベース上に製造乃至プログラミングする方法を提供すること。【解決手段】固定値メモリセルのプログラミング方法であって、固定値メモリセルのメモリセルは、セルフィールド内でマトリックス状にワード線及びビット線内に生成され、ビット線は、アース電位印加用のビットデコーダ、ビット線にブロッキング電位を印加するためのブロッキングデコーダ、ワード線にプログラミング電圧乃至保護電圧を印加するためのワードデコーダを用いて制御される。プログラミングすべき情報値が、セルフィールド内に予め記憶される。

請求項（抜粋）：

固定値メモリセルのプログラミング方法であって、前記固定値メモリセルのメモリセルは、セルフィールド内でマトリックス状にワード線及びビット線内に生成され、該生成時に、前記ビット線は、アース電位(VM)印加用のビットデコーダを用いて、及び、前記ビット線にブロッキング電位(VB)を印加するためのブロッキングデコーダを用いて、及び前記ワード線にプログラミング電圧(VP)乃至保護電圧(VS)を印加するためのワードデコーダを用いて制御される方法において、プログラミングすべき情報値をセルフィールド内に予め記憶することを特徴とする固定値メモリセルのプログラミング方法。

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭64-025394
特開平4-254994
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-343363 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (10件)

特開昭64-025394
特開昭64-025394
特開平4-254994

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