特許
J-GLOBAL ID：200903053664621578

キャパシタ及び半導体装置

発明者：
塩賀 健司

塩賀 健司 について

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柄沢 一明

柄沢 一明 について

, 
栗原 和明

栗原 和明 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-018132
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222925
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 耐電圧の低下を招くことなく、静電容量の向上を図ることができるキャパシタ及びそのキャパシタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 基板10上に形成された第1の導電膜12と、第1の導電膜上に形成された第1の誘電体膜14と、第1の誘電体膜上に形成された第2の導電膜18と、第2の導電膜上に、第2の導電膜の縁部を覆うように形成された第2の誘電体膜22と、第2の誘電体膜上に、第2の導電膜の縁部を覆う第2の誘電体膜の部分を覆うように形成された第3の導電膜34とを有するキャパシタであって、第2の導電膜の縁部、又は、第2の誘電体膜の部分を覆う絶縁膜28を更に有している。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に形成された第1の誘電体膜と、前記第1の誘電体膜上に形成された第2の導電膜と、前記第2の導電膜上に、前記第2の導電膜の縁部を覆うように形成された第2の誘電体膜と、前記第2の誘電体膜上に、前記第2の導電膜の前記縁部を覆う前記第2の誘電体膜の部分を覆うように形成された第3の導電膜とを有するキャパシタであって、前記第2の導電膜の前記縁部、又は、前記第2の誘電体膜の前記部分を覆う絶縁膜を更に有することを特徴とするキャパシタ。
IPC (3件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33
FI (2件)：
H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102
Fターム (24件)：
5E082AB03 ,  5E082BB02 ,  5E082BC38 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082GG01 ,  5E082HH25 ,  5E082HH47 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ15 ,  5E082KK01 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038BE07 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CA10 ,  5F038CD02 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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