特許

J-GLOBAL ID：200903053682253187

シリコンオンインシュレータ光導波路を用いたコネクタ型光トランシーバー

発明者： コウ ハンユン ,  チョイ ミンホ ,  キム ドンヨル
出願人/特許権者： アラインド テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 前田 均 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-516002
公開番号（公開出願番号）：特表2003-506987
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2003年02月18日
要約：

【要約】本コネクタ型光トランシーバーは、光素子(8,9,10)、シリコンオンインシュレータ(SOI)光導波路(7)、及び、上面に光素子(8,9,10)及びSOI光導波路(7)を載置され光経路を形成するように整列されるU字形凹部(7a,8a,9a,10a)が具備されたシリコンベンチ(6)を有する。SOI光導波路(7)は、シリコン基板(71)、その上面に光導波路部(75)が備えられたシリコン単結晶層(73)、及び、前記シリコン基板(71)と前記単結晶層(73)との間に形成され前記光導波路部を通過する光が拡散するのを防ぐシリカ薄膜層(72)を含む。シリコンベンチ(6)は、シリコンベンチ(6)に沿って縦方向に延伸されたV字溝(61)を有し、シリコンベンチ(6)に連結される外部連結端子(13)を案内するガイドピン(17)を受容する。

請求項（抜粋）：

複数の光素子と、 シリコン基板と、その上面に光導波路部が備えられたシリコン単結晶層と、前記シリコン基板と前記単結晶層との間に形成され前記光導波路部を通過する光が拡散するのを防ぐシリカ薄膜層を含むシリコンオンインシュレータ(SOI)光導波路と、 その上面に前記複数の光素子及び前記光導波路を載置するU字形凹部が形成され、光経路をなすよう整列されたシリコンベンチと を有するコネクタ型光トランシーバー。

IPC (6件)：

H04B 10/04 ,  G02B 6/42 ,  H04B 10/06 ,  H04B 10/14 ,  H04B 10/26 ,  H04B 10/28

FI (2件)：

G02B 6/42 ,  H04B 9/00 Y

Fターム (11件)：

2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037BA24 ,  2H037DA03 ,  2H037DA12 ,  2H037DA13 ,  5K002AA05 ,  5K002BA13 ,  5K002BA31 ,  5K002BA33

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-007893   出願人：株式会社日立製作所
• 導波路型光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-245436   出願人：日立電線株式会社
• 光導波路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-051731   出願人：住友電気工業株式会社
• 光接続部品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-205018   出願人：京セラ株式会社
• 特開平2-009183
  
• 特開平2-009183