低水素過電圧陰極およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054712
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251784
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、水の電気分解または食塩などのアルカリ金属塩化物の水溶液電気分解に使用する場合、水素過電圧が十分に低い陰極およびその製造方法を提供することにある。【解決の手段】NiとTi、V、Cr、Fe、Zr及びNbの少なくとも一元素を含む合金層を被覆した低水素過電圧陰極であって、Niを35〜95原子%、Ti、V、Cr、Fe、Zr及びNbの少なくとも一元素を65〜5原子%含み、かつCuKα線によるX線回折において、角度42〜45度の間に主ピークがあり、その半値幅が0.4〜7度である合金層からなる低水素過電圧陰極、およびNi35〜95原子%、Ti、V、Cr、Fe、Zr及びNbの少なくとも一元素を65〜5原子%含むターゲットを使用し、かつ導電性基材の電位を-100〜50Vとし、反応ガスとして水素、炭素、窒素、酸素の少なくとも一種を含むガスを導入し、アーク放電型イオンプレーティング法にて製造することを特徴とする当該低水素過電圧陰極の製造方法。

請求項（抜粋）：

導電性基材上に、NiとTi、V、Cr、Fe、Zr及びNbの少なくとも一元素とからなる合金層を被覆した低水素過電圧陰極であって、Ni含有量が35〜95原子%で、実質残部がTi、V、Cr、Fe、Zr及びNbの少なくとも一元素であり、かつCuKα線によるX線回折において、角度42〜45度の間に主ピークがあり、その半値幅が0.4〜7度である合金層からなる低水素過電圧陰極。

IPC (3件)：

C22C 19/03 , C23C 14/32 , C25B 11/06

FI (3件)：

C22C 19/03 G , C23C 14/32 Z , C25B 11/06 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭54-115626
特開昭57-094583
特開昭50-070278

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