特許
J-GLOBAL ID：200903053688099600
微細パターンの製造方法および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350386
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201708
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 KrFエキシマ光またはそれよりも短波長の光を用いて、下地基板の表面に微細パターンを製造する方法において、定在波効果を抑止し、高精度で微細パターンを作成することができる最適な反射防止膜の決定方法と、その反射防止膜を用いた微細パターンの製造方法と、その微細パターンの製造方法を用いた半導体装置の製造方法とを提供すること。【構成】 KrFエキシマ光またはそれよりも短波長の光を用いて、下地基板20の表面に微細パターンを製造する方法に関する。下地基板20の表面に、屈折率n=1.0〜5.5、消衰係数k=0.0〜1.5である反射防止膜22を形成し、この反射防止膜22上に、レジスト膜24を形成し、このレジスト膜24を、KrFエキシマ光またはそれよりも短波長の光を用いたフォトリソグラフィー加工により、微細パターンに加工する。
請求項（抜粋）：
KrFエキシマ光またはそれよりも短波長の光を用いて、下地基板の表面に微細パターンを製造する方法において、下地基板の表面に、屈折率n=1.0〜5.5、消衰係数k=0.0〜1.5である反射防止膜を形成する工程と、この反射防止膜上に、レジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜を、KrFエキシマ光またはそれよりも短波長の光を用いたフォトリソグラフィー加工により、微細パターンに加工する工程とを含む微細パターンの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
H01L 21/30 574
, H01L 21/30 515 B
, H01L 21/30 529
