高熱伝導性を有する半導体デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302664
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183615
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】基板10の表面に配置された第1ミラー・スタック12と、第1ミラー・スタックに実質的に同じように延在して配置された活性領域13と、活性領域に配置され、側面31を有するリッジまたはメサ16を形成する第2ミラー・スタックとを有するVCSEL。【構成】金属コンタクト層40は、発光領域45を定めるため、リッジまたはメサの側面と、リッジまたはメサの端部の部分とに配置され、ダイヤモンド状の材料(50)の層は、レーザから熱を除去する熱伝導体を形成するように、金属コンタクト層に電解メッキされる。

請求項（抜粋）：

第1面にある表面を有する支持基板(10);前記基板の前記表面に配置された半導体デバイス(12,13,14);前記半導体デバイス上に配置され、少なくとも1つの外部コンタクトを形成する金属コンタクト層(40);および前記金属コンタクト層および前記半導体デバイスを実質的に被覆して、前記半導体デバイスから熱を除去する熱伝導体を形成するダイヤモンド状の材料の層(50);によって構成されることを特徴とする高熱伝導性を有する半導体デバイス。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-196828
特開昭62-194652
特開昭61-251120

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