特許

J-GLOBAL ID：200903053748347706

抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ

発明者： 小田川 明弘
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 鎌田 耕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-184882
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021524
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】タンタルを含む抵抗変化層を有しながら、例えばウェハ基板上に複数の素子を形成する場合においても、素子間の特性のバラツキを低減でき、安定かつ均一な特性の実現が可能な構成を有する抵抗変化素子を提供する。【解決手段】基板と、基板上に配置された下部電極および上部電極と、下部電極と上部電極との間に配置された抵抗変化層とを含み、下部電極と上部電極との間の電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、下部電極と上部電極との間に駆動電圧または電流を印加することにより、上記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化素子であって、抵抗変化層は、タンタルの酸化物または酸窒化物からなる膜を2以上含み、かつ上記膜の厚さが2nm以下である多層膜構造を有する抵抗変化素子とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に配置された下部電極および上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に配置された抵抗変化層と、を含み、 前記下部電極と前記上部電極との間の電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、 前記下部電極と前記上部電極との間に駆動電圧または電流を印加することにより、前記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化素子であって、 前記抵抗変化層は、タンタルの酸化物または酸窒化物からなる膜を2以上含み、かつ前記膜の厚さが2nm以下である多層膜構造を有する抵抗変化素子。

IPC (4件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  G11C 13/00

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  G11C13/00 A

Fターム (16件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR04 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-600308   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション