特許
J-GLOBAL ID：200903053752455629
光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157528
公開番号（公開出願番号）：特開平11-350121
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：
【要約】【課題】 レーザーを用いて情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形成するための、硫化亜鉛-二酸化ケイ素焼結体からなる高出力スパッタリング中に光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 硫化亜鉛素地中に、平均粒径が10〜30μmの範囲内にありかつ比表面積値が0.5〜5.0m2 /gの範囲内にある二酸化ケイ素粒が均一分散している光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。
請求項（抜粋）：
硫化亜鉛素地中に、平均粒径が10〜30μmの範囲内にありかつ比表面積値が0.5〜5.0m2 /gの範囲内にある二酸化ケイ素粒が均一分散している組織を有することを特徴とする光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
C23C 14/34
, G11B 7/26 531
C23C 14/34 A
, G11B 7/26 531
