特許
J-GLOBAL ID：200903053765731307
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-098407
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303389
出願日： 2003年04月01日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】MRAMにおいて書き込み電流値の低減とビット情報の熱擾乱耐性の確保を両立させ、高い熱擾乱耐性と高い書き込み効率を実現する。【解決手段】MTJ 素子21a の記録層71a は、高結晶磁気異方性材料からなり、MTJ 素子21a に情報を書き込むための書き込み配線1 を覆う磁性層2 と交換結合しており、MTJ 素子の記録層に対向する磁性層部分と記録層の磁気ボリュームの和がその他の磁性層部分の磁気ボリュームよりも小さい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非磁性層を狭持した二層の磁性層からなる磁気抵抗素子の前記二層の磁性層の磁化配列状態により変化する抵抗値に“0”,“1”の情報に対応させ、前記磁気抵抗素子に近接配置した書き込み配線に電流を流して誘導磁束を発生させ、前記磁気抵抗素子の2つの磁性層のうちの一方の記録層の磁化方向を変化させて情報を書き込む磁気ランダムアクセスメモリにおいて、
前記書き込み配線の少なくとも前記磁気抵抗素子の記録層に対向する部分を含む周面が磁性層で覆われており、
前記記録層は、その結晶磁気異方性が104 erg/ccを超え、前記磁性層と交換結合しており、
前記磁気抵抗素子の記録層に対向する部分の磁性層と前記記録層の磁気ボリュームの和がその他の部分の磁性層の磁気ボリュームよりも小さいことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件)：
G11C11/15
, H01L27/105
, H01L43/08
G11C11/15 120
, G11C11/15 112
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083KA17
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083NA01
