電力制御用半導体素子の保護装置及びそれを備えた電力変換装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-169715
公開番号（公開出願番号）：特開2005-006464
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】回路負荷等の短絡を早期かつ確実に検出してバイポーラMOS複合型半導体素子等の半導体素子が破壊されることを防止可能な電力制御用半導体素子の保護装置を実現する。【解決手段】IGBT1のコレクタはダイオードD1を介して第1比較器COMP1の反転入力端子に接続される。COMP1の非反転入力端子には第1基準電圧V1が印加され。IGBT1のゲート端子は第2比較器COMP2の反転入力端子に接続され、COMP2の非反転入力端子には第2基準電圧V2が印加される。COMP1とCOMP2の出力信号が論理回路ANDに入力され2つの入力信号の論理積が”1”のとき論理回路ANDから短絡検出信号が出力される。基準電圧V1はコレクタ電圧のオン状態電圧より高く、回路電源電圧より低い電圧に設定され、第2の基準電圧V2は回路の電源電圧より低く、かつ、IGBT1のテラス電圧以上に設定される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

コレクタと、ゲートと、エミッタとを有する電力制御用半導体素子の保護装置において、上記電力制御用半導体素子のコレクタ電圧を検出し、検出したコレクタ電圧が、第1の基準電圧を越えたとき、第1の検出信号を出力する第1の比較器と、上記電力制御用半導体素子のゲート電圧を検出し、検出したゲート電圧が、上記電力制御用半導体素子に定格電流を流すための最小ゲート電圧以上であり、上記電力制御用半導体素子を駆動する駆動信号を出力する駆動回路の電源電圧未満である第2の基準電圧を超えたとき、第2の検出信号を出力する第2の比較器と、第1の検出信号及び第2の検出信号が共に出力されているときには、保護開始信号を出力する論理手段と、上記論理手段からの保護開始信号に従って、上記ゲート電圧を低下させるゲート電圧低下手段と、を備えることを特徴とする電力制御用半導体素子の保護装置。

IPC (5件)：

H02H7/20 , H02H7/122 , H02M1/00 , H02M1/08 , H02M7/48

FI (6件)：

H02H7/20 D , H02H7/122 Z , H02M1/00 E , H02M1/00 H , H02M1/08 A , H02M7/48 M

Fターム (43件)：

5G053AA01 , 5G053AA02 , 5G053BA04 , 5G053CA01 , 5G053EB01 , 5G053EC03 , 5H007AA06 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB02 , 5H007CB05 , 5H007CC07 , 5H007DB03 , 5H007DC05 , 5H007FA01 , 5H007FA03 , 5H007FA13 , 5H007FA14 , 5H115PA08 , 5H115PC06 , 5H115PG04 , 5H115PI16 , 5H115PI21 , 5H115PI29 , 5H115PO06 , 5H115PU08 , 5H115PU25 , 5H115PV09 , 5H115PV23 , 5H115TO13 , 5H115TR01 , 5H115TU02 , 5H115TU05 , 5H115TW10 , 5H115TZ04 , 5H740AA04 , 5H740BA11 , 5H740BB05 , 5H740BC01 , 5H740BC02 , 5H740HH07 , 5H740MM01 , 5H740MM12

引用特許：

審査官引用 (3件)

短絡保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-109913 出願人：株式会社東芝
負荷駆動装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-287397 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-262826

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