特許
J-GLOBAL ID：200903053775558999

面発光型半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
近藤 貴幸

近藤 貴幸 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284790
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101185
出願日： 1998年09月21日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 レーザ光の放射角を小さく設定でき、更に、半導体の性能を劣化させる物質に対して耐性のある面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 面発光型半導体レーザ100は、半導体基板上に有する垂直方向の共振器より半導体基板に垂直方向にレーザ光を出射し、半導体堆積体120表面に、樹脂層52を設け、該表面部にレンズ形状部54を形成し、この半導体レーザは半導体基板上、共振器を含む半導体堆積体形成し、レンズ形状部54の反転形状部を有するスタンパを、反転形状部が半導体堆積体の共振器上に位置合わせし、半導体堆積体とスタンパ間に樹脂の液状物を介在させ、樹脂の液状物を硬化させて樹脂層を形成し、レンズ形状部を形成して製造される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に垂直方向の共振器を有し、該共振器より該半導体基板に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、前記共振器を含む半導体堆積体の表面に、樹脂層が設けられ、前記共振器の上に位置する前記樹脂層の表面部にレンズ形状部が形成されている面発光型半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 5/183 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/135
FI (3件)：
H01S 3/18 652 ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/135 Z
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM