特許
J-GLOBAL ID：200903053782816278
半導体加速度センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-146874
公開番号（公開出願番号）：特開平9-329621
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】静電自己診断感度やダンピング特性を精密に設定することの出来る半導体加速度センサを提供する。【解決手段】重り部3および梁部2よりなる可動部を形成した半導体基板1と、上記重り部底面と微小間隔7を隔てて対向する導体電極9と、上記導体電極を支持する台座4と、を備えた半導体加速度センサにおいて、導体電極の重り部底面と対向する部分の面の広がり方向の大きさを、重り部底面の大きさよりも小さく形成する。それにより、対向面積の値は、重り部底面よりも寸法の小さい導体電極の対向部分の大きさで決定されることになるが、対向部分の大きさは精密に設定可能な台座の溝部によって設定できるので、重り部底面の大きさがばらついても対向面積を精密に設定できることになり、静電自己診断感度およびダンピング特性を精密に設定することが可能となる。
請求項（抜粋）：
重り部および梁部よりなる可動部を形成した半導体基板と、上記重り部底面と微小間隔を隔てて対向する導体電極と、上記導体電極を支持する台座と、を備えた半導体加速度センサにおいて、上記導体電極の上記重り部底面と対向する部分の面の広がり方向の大きさを、上記重り部底面の大きさよりも小さく形成したことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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