半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：堀口浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-179173
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041492
出願日： 2005年06月20日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】チップサイズを増大させることなく、メモリセルアレイの外部にダミーメモリセルを配置した半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体基板主面の内部領域に配置された内部メモリセルアレイと、内部領域に配置され、内部メモリセルアレイ内のメモリセルを選択するための行デコーダおよび列デコーダと、内部領域に配置され、内部メモリセルアレイ内の選択されたメモリセルへ情報を書き込み、または記憶情報を読み出すための周辺回路と、内部領域25の外周領域に内部メモリセルアレイと隣接して配置され、内部メモリセルアレイと電気的に分離された外部メモリセルアレイとを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板主面の内部領域に配置された内部メモリセルアレイと、前記内部領域に配置され、前記内部メモリセルアレイ内のメモリセルを選択するための行デコーダおよび列デコーダと、前記内部領域に配置され、前記内部メモリセルアレイ内の選択されたメモリセルへ情報を書き込み、または記憶情報を読み出すための周辺回路と、前記内部領域の外周領域に前記内部メモリセルアレイと隣接して配置され、前記内部メモリセルアレイと電気的に分離された外部メモリセルアレイとを具備すること特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/04 C

Fターム (21件)：

5F038AC05 , 5F038CD02 , 5F038CD03 , 5F038CD14 , 5F038DF05 , 5F038EZ20 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP32 , 5F083EP76 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA17 , 5F083LA18 , 5F083LA25 , 5F083PR01 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD22 , 5F101BD34

引用特許：

出願人引用 (1件)

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法、レチクル
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-261430 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (7件)

特開平4-061161
特開昭60-177669
特開平4-167464

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