特許
J-GLOBAL ID：200903053796067979

半導体装置

発明者：
高田 泰紀

高田 泰紀 について

, 
堀部 裕史

堀部 裕史 について

, 
道井 一成

道井 一成 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-266631
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076233
出願日： 2000年09月04日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高機能化して大寸法化された半導体チップに電極パッドが全面に亘って散在して配置された半導体チップの樹脂封止直後の高温時に於ける剛性の大きな半導体装置を品質良く、安価に提供する。【解決手段】 半導体チップ11と、接着材と、金属細線14と、半導体チップ11の上面まで引き延ばされ、各電極パッド17a〜17eに対応し、且つ半導体チップ11の周囲よりも外側に配置したインナーリード13aと、半導体チップ11の厚み寸法と接着材の厚み寸法との和よりも深い段差を設けたダイパッド16とを、封止樹脂15で封止してインナーリード13aの延長部が外部リード13bとして封止樹脂15よりも外側に突出している半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体チップとダイボンド材と金属細線と、前記半導体チップの長辺または短辺の何れか少なくとも1辺に沿って混在してかつ同一平面に設けた前記半導体チップの上面まで引き伸ばされたインナーリードと前記半導体チップの周囲よりも外側に配置したインナーリードと、前記半導体チップの厚み寸法と前記ダイボンド材の厚み寸法との和よりも深い段差を設けたダイパッドとを、封止樹脂で封止して前記インナーリードと連続して形成した外部リードが前記封止樹脂よりも外側に突出している半導体装置。
FI (3件)：
H01L 23/50 K ,  H01L 23/50 J ,  H01L 23/50 Q
Fターム (13件)：
5F067AA01 ,  5F067AA06 ,  5F067AB02 ,  5F067BA03 ,  5F067BB01 ,  5F067BD05 ,  5F067BD10 ,  5F067BE05 ,  5F067DA05 ,  5F067DA20 ,  5F067DF02 ,  5F067DF16 ,  5F067DF17
引用特許：
審査官引用 (3件)

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