特許
J-GLOBAL ID：200903053807581637
半導体レーザ素子搭載用基板および半導体レーザモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279586
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102671
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】LD素子に対して迅速かつ高精度な温度制御を行ない得るようにすること。【解決手段】絶縁基板7上面に薄膜から成る発熱抵抗体8および該発熱抵抗体8を覆う樹脂層9が被着されて成るとともに、樹脂層9の上面にLD素子4を搭載するための金属薄膜から成る搭載部10が被着されて成るLD基板6およびこれを使用したLDモジュールである。LD素子4の作動停止時にLD素子4を作動時と同様の高温としておくことができ、LD素子4の作動開始時等に迅速かつ高精度の温度制御を可能とした。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上面に薄膜から成る発熱抵抗体および該発熱抵抗体を覆う樹脂層が被着されて成るとともに、該樹脂層の上面に半導体レーザ素子を搭載するための金属薄膜から成る搭載部が被着されていることを特徴とする半導体レーザ素子搭載用基板。
Fターム (8件)：
5F073AB28
, 5F073BA02
, 5F073EA29
, 5F073FA07
, 5F073FA15
, 5F073FA25
, 5F073FA30
, 5F073GA23
