特許
J-GLOBAL ID：200903018463113299

半導体レーザ装置、その製造方法

発明者：
鈴木 尚文

鈴木 尚文 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036192
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233548
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】 容易なプロセスおよび配線によってヒーターを用いたレーザ発振波長制御を行うことが可能な半導体レーザ装置、その製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明における半導体レーザ装置は、少なくとも半導体レーザ301と、前記半導体レーザ301を加熱して、その発振波長を可変させる機能を有する微小ヒータ103と、前記半導体レーザ301をマウントする基板101とを有し、微小ヒータ103は基板101上の半導体レーザ301と接する面側に直接形成されることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも半導体レーザと、該半導体レーザを加熱してその発振波長を可変させる機能を有する微小ヒータと、前記半導体レーザをマウントする基板とを有し、前記微小ヒータが前記基板上の前記半導体レーザに面する側に直接形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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