磁気抵抗効果型トランスデューサ及び磁気記録装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-164023
公開番号（公開出願番号）：特開平9-016915
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】スピンバルブ磁気抵抗効果を利用して、磁界の変化を抵抗の変化に変換する磁気抵抗効果型トランスデューサに関し、反強磁性層の下地層として耐腐食性の高い材料を用い、かつ反強磁性層の結晶性を改善することを目的とする。【構成】基板11上に、タンタル膜12aとニッケル鉄系合金膜12bの2層膜からなる下地層12と、反強磁性層13と、第1の軟磁性層14と、非磁性金属層15と、第2の軟磁性層16とが順に形成されてなる。

請求項（抜粋）：

基板上に、タンタル膜とニッケル鉄系合金膜の2層膜からなる下地層と、反強磁性層と、第1の軟磁性層と、非磁性金属層と、第2の軟磁性層とが順に形成されてなることを特徴とする磁気抵抗効果型トランスデューサ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

磁気抵抗効果ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-026362 出願人：日本電気株式会社
磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-296063 出願人：株式会社東芝

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