特許
J-GLOBAL ID：200903053833390726
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231531
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086433
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、キャパシタ部を有する半導体装置における、そのキャパシタ部のストレージ電極の形状と製法に関するもので、高集積化、縮小に伴いキャパシタ部の範囲が狭くなっても実効的な表面積を増し、十分なセル容量を確保できるようにすることを目的とする。【構成】 本発明は、T字型のストレージ電極6のひさし部分に孔6aを形成し、その孔6aの内壁にもキャパシタ絶縁膜7、セルプレート電極8を形成するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
キャパシタ部を有する半導体装置において、該キャパシタ部のストレージ電極の構造として複数の孔が設けられている部分がある形状としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 325 C
, H01L 27/04 C
