特許
J-GLOBAL ID：200903053862062282
平面表示素子製造装置の静電気評価基板及び平面表示素子製造装置の静電気評価方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-097471
公開番号（公開出願番号）：特開2002-296559
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：
【要約】【課題】 平面表示素子の製造時に発生する静電気を起因とする不良を防止して、大型且つ高精細・高画質の平面表示素子であってもその表示品位を向上すると共に製造歩留まり向上によるコストの削減を図る。【解決手段】 実際に製造する液晶表示素子と略同サイズであって、配向膜14、16を対向配置してなる第1及び第2の透明ガラス板11、12のシール剤17で囲繞される間隙に液晶組成物18を封入してなる静電評価基板10を、平面表示素子製造装置の製造工程に沿って流品する。この流品時に発生される静電気により生じる静電評価基板10上の光透過率の変化を観察して、製造工程における静電気の発生状況を正確に把握し、適切な静電気対策を行う。
請求項（抜粋）：
少なくともいずれか一方に電極を有し対向配置される一対の電極基板の間隙に光変調層を封入してなる平面表示素子と略同等サイズの一対の透明板と、この一対の透明板に成膜され配向処理される配向膜と、この配向膜を対向配置してなる前記一対の透明板の間隙に封入される光変調層と、前記一対の透明板の外面に形成される偏光板とを具備する事を特徴とする平面表示素子製造装置の静電気評価基板。
IPC (2件)：
G02F 1/13 101
, G02F 1/1343
G02F 1/13 101
, G02F 1/1343
2H088FA11
, 2H088FA17
, 2H088FA24
, 2H088FA30
, 2H088MA20
, 2H092JB79
, 2H092NA27
, 2H092NA30
