特許

J-GLOBAL ID：200903053902371976

圧電装置用積層体、圧電装置用積層体の製造方法、および圧電装置の製造方法

発明者： 鈴木 義彦 ,  井上 幸二 ,  田中 恒久 ,  小川 倉一 ,  古川 薫
出願人/特許権者： 大阪府 ,  株式会社八洋技術研究所
代理人 (1件)： 杉本 勝徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204668
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054809
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】圧電素子素材の歪みがなく、半導体基板に対する接合強度が充分高く、後工程で行う研磨加工時に、前記圧電素子素材と半導体基板とがその接合部で剥がれないよう、圧電素子素材と半導体基板とが、しっかりと積層一体化された圧電装置用積層体の提供、この圧電装置用積層体の製造方法の提供、および、この圧電装置積層体を用いた圧電装置の製造方法の提供を目的する。【解決手段】圧電装置用積層体1は、圧電素子素材2と、半導体基板3との間に、融点820°C以下の金属材料で形成される低融点金属材料層4を備えている構成とした。

請求項（抜粋）：

圧電素子素材と、半導体基板との間に、融点820°C以下の金属材料で形成される低融点金属材料層を備えている圧電装置用積層体。

IPC (6件)：

H01L 41/08 ,  C04B 37/00 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/02 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/205

FI (6件)：

H01L 41/08 D ,  C04B 37/00 B ,  H03H 3/02 B ,  H03H 9/17 Z ,  H03H 9/205 ,  H01L 41/22 Z